Kyoto, Japan (ots/PRNewswire) - ROHM Co., Ltd. hat den AW2K21 auf den Markt
gebracht, einen 30V N-Kanal-MOSFET in einer Common-Source-Konfiguration, der
einen branchenweit besten* ON-Widerstand von 2,0 Milliohm (typisch) in einem
kompakten 2,0 mm x 2,0 mm WLCSP-Gehäuse bietet. Diese Innovation erfüllt die
wachsende Nachfrage nach Schnellladefunktionen in kompakten Geräten wie
Smartphones und Wearables, die einen bidirektionalen Schutz und eine hohe
Strombelastbarkeit erfordern.
*ROHM Studie 8. Juli 2025
Kennzahlen: Produktmerkmale: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106
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Herkömmliche Lösungen basieren oft auf zwei großen MOSFETs, um strenge
Spezifikationen zu erfüllen - 20 A Nennstrom, 28-30 V Durchbruchspannung und
weniger als oder gleich 5 Milliohm Einschaltwiderstand -, was zu erhöhtem
Platzbedarf auf der Leiterplatte und einer höheren Komplexität führt. Der AW2K21
von ROHM überwindet diese Einschränkungen durch die Integration von zwei MOSFETs
in einem einzigen ultrakompakten Gehäuse, wodurch ein bidirektionaler Schutz bei
reduziertem Platzbedarf und geringeren Leistungsverlusten ermöglicht wird.
Kennzahlen: Leistungsvergleich: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M
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Die proprietäre Struktur erhöht die Zelldichte und platziert den Drain-Anschluss
auf der Oberseite, im Gegensatz zu herkömmlichen vertikalen Graben-MOSFETs. Dies
ermöglicht ein besseres Verhältnis zwischen Chip und Gehäuse, minimiert den
Einschaltwiderstand pro Flächeneinheit und unterstützt den Hochstrombetrieb. Im
Vergleich zu herkömmlichen MOSFETs mit 3,3 mm x 3,3 mm reduziert der AW2K21 die
Grundfläche und den Einschaltwiderstand um etwa 81 % bzw. 33 %. Er übertrifft
auch ähnlich große GaN-HEMTs mit bis zu 50 % geringerer Einschaltwiderstand.
Der AW2K21 eignet sich ideal für Stromversorgungs- und Ladeschaltungen und
zeichnet sich auch in Lastschalteranwendungen als unidirektionaler Schutz-MOSFET
aus. ROHM treibt die Miniaturisierung mit einem derzeit in Entwicklung
befindlichen Modell mit Abmessungen von 1,2 mm x 1,2 mm weiter voran.
ROHM treibt die Energieeffizienz und Miniaturisierung in der Elektronik weiter
voran und leistet mit leistungsstarken Halbleiterlösungen einen Beitrag zu einer
nachhaltigeren Gesellschaft.
Kennzahlen: Wesentliche Produktmerkmale: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/
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Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2025-07-08_news_mo
sfet&defaultGroupId=false
AW2K21: https://www.rohm.com/products/mosfets/small-signal/dual/aw2k21-product
Anwendungsbeispiele:
Smartphones, Tablets, Laptops, VR-Headsets, Wearables, tragbare Spielkonsolen,
Kompaktdrucker, LCD-Monitore und Drohnen
Informationen zum Online-Verkauf:
Verkaufsstart: April 2025
Musterpreis: 3,50 USD/Stück (ohne MwSt.)
Vertriebspartner: DigiKey (TM): https://www.digikey.com/en/products/detail/rohm-
semiconductor/AW2K21AR/26653385?s=N4IgTCBcDaIIIHUwGkwEYQF0C%2BQ
Mouser (TM): https://www.mouser.com/ProductDetail/ROHM-Semiconductor/AW2K21AR?qs
=savM97goi5iXEwpYlUTFuw%3D%3D
Farnell (TM):
https://www.newark.com/rohm/aw2k21ar/mosfet-dual-n-ch-30v-1-6w-wlcsp/dp/29AM6709
Anwendbare Teile-Nr: AW2K21
Das Produkt wird bei anderen Online-Händlern angeboten, sobald es verfügbar ist.
Informationen zu ROHM:
https://kyodonewsprwire.jp/attach/202508073360-O1-kmg26FJe.pdf
Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202508073360/_prw_P
I4fl_R0FM8pC1.jpg
Offizielle Website: https://www.rohm.com/
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wickelt-ultrakompakten-mosfet-mit-branchenweit-niedrigstem-on-widerstand-ideal-f
ur-schnellladeanwendungen-302537259.html
Pressekontakt:
Isamu Kawashima,
Hauptsitz,
Marketing Communications Dept.,
ROHM Co.,
Ltd.,
+81-75-311-2121,
press@rohm.co.jp *Bitte kontaktieren Sie uns per E-Mail.
Weiteres Material: http://presseportal.de/pm/173675/6103077
OTS: ROHM Co., Ltd.
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