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Seoul, Südkorea (ots/PRNewswire) - - Schlüsseltechnologie treibt hohe Effizienz
und Miniaturisierung für KI-Rechenzentren, Robotik und andere Anwendungen voran-
Spezielles GaN-MPW- Set für Ende Oktober geplant - Erweiterung der BCD-Expertise
auf Verbindungshalbleiter wie GaN und SiC
DB HiTek, ein führender Hersteller von 8-Zoll-Spezialchips, gab heute bekannt,
dass sich die Entwicklung seines 650-V-E-Mode-GaN-HEMT-Prozesses
(Galliumnitrid-Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit), einer
Leistungshalbleiterplattform der nächsten Generation, in der Endphase befindet..
Das Unternehmen wird Ende Oktober auch ein spezielles GaN-MPW- (Multi-Project
Wafer) Programm anbieten.
Im Vergleich zu herkömmlichen Leistungsbauelementen auf Siliziumbasis bieten
Halbleiter auf GaN-Basis eine überlegene Leistung unter Hochspannungs-,
Hochfrequenz- und Hochtemperatur-Betriebsbedingungen und zeichnen sich durch
eine außergewöhnliche Energieeffizienz aus. Insbesondere der
650-V-E-Mode-GaN-HEMT zeichnet sich durch seine hohe Schaltgeschwindigkeit und
robuste Betriebsstabilität aus und eignet sich daher besonders für
EV-Ladeinfrastrukturen, Stromumwandlungssysteme in Hyperscale-Rechenzentren und
fortschrittliche 5G-Netzwerkgeräte.
2022, als der Markt für Verbindungshalbleiter noch in den Kinderschuhen steckte,
identifizierte DB HiTek GaN und SiC als wichtige Wachstumstreiber und hat
seitdem erheblich in die Prozessentwicklung investiert. Ein Sprecher von DB
HiTek erklärte: "DB HiTek ist weltweit bereits für seine Führungsrolle bei
siliziumbasierten Leistungshalbleitertechnologien bekannt, darunter die
Entwicklung des branchenweit ersten 0,18-µm-BCDMOS-Prozesses. Durch die
Erweiterung um GaN-Prozessfähigkeiten erwarten wir eine Steigerung der
Wettbewerbsfähigkeit des Unternehmens mit einem breiten Technologieportfolio."
Nach Fertigstellung des 650-V-GaN-HEMT-Prozesses plant DB HiTek bis Ende 2026
die Einführung eines 200-V-GaN-Prozesses und eines für die IC-Integration
(Integrated Circuit) optimierten 650-V-GaN-Prozesses. Mit Blick auf die Zukunft
strebt das Unternehmen an, seine GaN-Plattform entsprechend den
Marktbedürfnissen und Kundenanforderungen auf ein breiteres Spannungsspektrum
auszuweiten.
Um diese Initiativen zu unterstützen, erweitert DB HiTek die Reinraumanlagen von
Fab2 in Chungcheongbuk-do, Südkorea. Die Erweiterung soll die Kapazität um etwa
35.000 8-Zoll-Wafer pro Monat erhöhen und die Produktion von GaN-, BCDMOS- und
SiC-Prozessen unterstützen. Nach Fertigstellung wird die monatliche
Gesamtkapazität von DB HiTek um 23 % von 154.000 auf 190.000 Wafer steigen.
Gleichzeitig wird DB HiTek an der ICSCRM (The International Conference on
Silicon Carbide and Related Materials) 2025 teilnehmen, die vom 15. bis 18.
September im BEXCO in Busan stattfindet. Auf diesem globalen Branchenforum wird
DB HiTek neben seinen GaN- und BCDMOS-Technologien auch die Fortschritte in der
SiC-Prozessentwicklung vorstellen und direkt mit Kunden und Branchenführern in
Kontakt treten.
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-mit-der-kundenunterstutzung-fur-den-650-v-gan-hemt-prozess-302551369.html
Pressekontakt:
Hyunjoo Yu/ hyunjoo.yu1@dbhitek.com
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OTS: DB HiTek
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