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München (ots) -
- Falls diese vorläufige Entscheidung bestätigt wird, wird sie dazu führen, dass
die Einfuhr der als patentverletzend angesehenen Produkte von Innoscience in
die USA untersagt wird
- Das Urteil ist eine weitere positive Entscheidung, die den Wert von Infineons
branchenführendem Patentportfolio unterstreicht
- GaN spielt eine zentrale Rolle bei der Entwicklung leistungsstarker und
energieeffizienter Energiesysteme
Die International Trade Commission (ITC) in den USA hat die Verletzung eines
Patents der Infineon Technologies AG, das sich auf
Galliumnitrid-(GaN)-Technologie bezieht, durch Innoscience festgestellt.[1]
Zudem bestätigte die ITC in dieser vorläufigen Entscheidung, dass beide von
Infineon in dem Verfahren vor der ITC geltend gemachten Patente rechtsbeständig
sind. [2] In dem anhängigen Fall geht es um die unbefugte Nutzung von
Infineon-GaN-Technologien durch Innoscience. Die endgültige Entscheidung der
Kommission wird am 2. April 2026 erwartet und wird, falls die vorläufige
Entscheidung bestätigt wird, dazu führen, dass die Einfuhr der als
patentverletzend angesehenen Produkte von Innoscience in die USA untersagt wird.
"Diese Entscheidung ist ein weiterer Beleg für die Stärke des geistigen
Eigentums von Infineon und bestätigt unser Engagement, unser Patentportfolio
konsequent gegen Verletzungen zu verteidigen und damit einen fairen Wettbewerb
im Markt sicherzustellen", sagt Dr. Johannes Schoiswohl, Senior Vice President
und Leiter der GaN Systems Business Line bei Infineon. "Wir verfolgen weiterhin
das Ziel, Innovationen zu fördern und die Halbleitertechnologie
weiterzuentwickeln, um die drängendsten Herausforderungen unserer Zeit zu
adressieren - von der Dekarbonisierung bis zur digitalen Transformation."
Die Entscheidung ist ein weiterer Schritt, der den Wert des Beitrags von
Infineon zur GaN-Technologie unterstreicht. In einem parallelen Rechtsstreit in
Deutschland hat das Deutsche Patent- und Markenamt vor Kurzem die Gültigkeit
eines Patents von Infineon bestätigt und in leicht geänderter Form
aufrechterhalten. Infineon macht die Verletzung dieses Patents vor dem
Landgericht München I geltend.[3] Bereits im August 2025 stellte das Gericht die
Verletzung eines weiteren Infineon-Patents durch Innoscience fest.[4]
Infineon ist ein führender Integrated Device Manufacturer (IDM) im GaN-Markt mit
dem branchenweit breitesten IP-Portfolio, das rund 450 GaN-Patentfamilien
umfasst. GaN spielt eine Schlüsselrolle bei der Realisierung leistungsstarker
und energieeffizienter Leistungssysteme in einer Vielzahl von Anwendungen,
darunter erneuerbare Energiesysteme, KI-Rechenzentren, industrielle
Automatisierung und Elektrofahrzeuge (EVs). Durch höhere Leistungsdichte,
schnellere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Leistungsverluste ermöglichen
GaN-Halbleiter kompaktere Designs, verringern Energieverbrauch und
Wärmeentwicklung. Als führendes Unternehmen im Bereich Leistungssysteme
beherrscht Infineon alle drei relevanten Materialien: Silizium (Si),
Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN).
[1] US 9,899,481
[2] US 9,899,481 and US 9,070,755
[3] DE102017100947
[4] DE102014113465
Pressekontakt:
Andre Tauber,
mailto:andre.tauber@infineon.com,
Tel. +49 89 343 6705
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